Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC0503NSIATMA1

Изображение служит лишь для справки






BSC0503NSIATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 4039
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:26 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:22A Ta 88A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W Ta 36W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:OptiMOS™
- Опубликовано:2015
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3m Ω @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250μA
- Без галогенов:Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1300pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:20nC @ 10V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):88A
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:30V
- Максимальный сливовой ток (ID):22A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0037Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:352A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):10 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 4039
Итого $0.00000