FQB47P06TM-AM002

Name: ON Semiconductor FQB47P06TM-AM002
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 1311

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：47A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.75W Ta 160W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26m Ω @ 23.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3600pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±25V
Максимальный сливовой ток (ID)：47A
Сопротивление открытого канала-макс：0.026Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：188A
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：820 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1311

Итого $0.00000