(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPHR9003NL,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPHR9003NL,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
Date Sheet
Lagernummer 12718
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Вес：850.995985mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.6W Ta 78W Tc
- Время отключения：89 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код JESD-30：S-PDSO-F5
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：23 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.9m Ω @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6900pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：74nC @ 10V
- Время подъема：9.6ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：60A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный импульсный ток вывода：200A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 12718
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
