(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPN4R203NC,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPN4R203NC,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：23A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：700mW Ta 22W Tc
- Время отключения：52 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：U-MOSVIII
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：2.5mOhm
- Капацитивность：1.37nF
- Конфигурация элемента：Single
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2m Ω @ 11.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 200μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1370pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 10V
- Время подъема：5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：14 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：23A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 42
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
