IRLR3410TRRPBF

Name: Infineon Technologies IRLR3410TRRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (19 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 44

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：79W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：105m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：800pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34nC @ 5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Угол настройки (макс.)：±16V
Код JEDEC-95：TO-252AA
Максимальный сливовой ток (ID)：17A
Сопротивление открытого канала-макс：0.125Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Минимальная напряжённость разрушения：100V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：150 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 44

Итого $0.00000