(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS4C03NT3G
Изображение служит лишь для справки
NVMFS4C03NT3G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
Date Sheet
Lagernummer 580
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя：38 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：31.4A Ta 143A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.71W Ta 77W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.1m Ω @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3071pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：143A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0024Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：900A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：549 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 580
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
