(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD65R1K4C6ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPD65R1K4C6ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Date Sheet
Lagernummer 10027
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO252-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.2A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：28W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：CoolMOS™ C6
- Опубликовано：2008
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4Ohm @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：225pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 10027
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
