Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные VN10KN3-G-P003

Изображение служит лишь для справки






VN10KN3-G-P003
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,60V,5.0 Ohm3 TO-92T/R
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Количество контактов:3
- Вес:453.59237mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:310mA Tj
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:1W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:1W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5 Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:60pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Непрерывный ток стока (ID):310mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Сопротивление открытого канала-макс:5Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):5 pF
- Высота:5.33mm
- Длина:5.21mm
- Ширина:4.19mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 44
Итого $0.00000