(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFP140
-
Harris Semiconductor
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 517
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Время：(max) tripping at I=2.75 x Irated - 2 s
- Номинальное напряжение：250 (AC) V
- Weight gross：0.85
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：HARRIS SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：TO-247, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：31 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Глубина：20 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Сопротивление открытого канала-макс：0.077 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：120 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：180 W
Со склада 517
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
