SIR870ADP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIR870ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (6 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Date Sheet

Lagernummer 8257

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：6.25W Ta 104W Tc
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код JESD-30：R-PDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：104W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.6m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2866pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：80nC @ 10V
Время подъема：15ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：60A
Пороговое напряжение：3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.007Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Максимальный импульсный ток вывода：300A
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.12mm
Длина：6.25mm
Ширина：5.26mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 8257

Итого $0.00000