IPB048N15N5ATMA1

Name: Infineon Technologies IPB048N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Date Sheet

Lagernummer 622

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：8V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：300W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2013
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.8m Ω @ 60A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.6V @ 264μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7800pF @ 75V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：100nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：150V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：120A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0048Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：480A
Минимальная напряжённость разрушения：150V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：230 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 622

Итого $0.00000