Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXFB150N65X2

Изображение служит лишь для справки






IXFB150N65X2
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-264-3, TO-264AA
- N-Channel MOSFET, 150 A, 650 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB150N65X2
Date Sheet
Lagernummer 180
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:19 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-264-3, TO-264AA
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:150A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:1560W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:HiPerFET™
- Опубликовано:2015
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:17m Ω @ 75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5.5V @ 8mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:20400pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:430nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Непрерывный ток стока (ID):150A
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 180
Итого $0.00000