MMBZ33VALT1G

Name: ON Semiconductor MMBZ33VALT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (12 reviews)

ON Semiconductor
Диоды TVS
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TVS DIODE 26V 46V SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 4688

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал диодного элемента：SILICON
Пороговая напряжённость / В：31.35V
Количество элементов：2
Обратная напряженность отстоя：26V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Тип：Zener
Применение：General Purpose
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Мощность рейтинга：40W
Ток постоянного напряжения - номинальный：33V
Максимальная потеря мощности：40W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Глубина：1.3mm
Моментальный ток：1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBZ*A
Число контактов：3
Входной напряжение питания：26V
Рабочее напряжение：26V
Ток утечки：50nA
Конфигурация элемента：Common Anode
Распад мощности：40W
Защита линии питания：No
Максимальный обратный ток утечки：50μA
Максимальная напряжение-ограничение @ Ipp：46V
Уровень задержки：46V
Пиковый импульсный ток：870mA
Максимальный импульсный ток：870mA
Максимальная импульсная мощность：40W
Направление：Unidirectional
Ток испытания：1mA
Однонаправленные каналы：2
Обратное пробивное напряжение：31.35V
Максимальное напряжение разрушения：34.65V
Защита от электростатического разряда：Yes
Высота：1.01mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 4688

Итого $0.00000