![](https://static.whisyee.com/dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43tr81280b125jbli-9313.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IS43TR85120A-125KBL
-
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
-
Память
- 78-TFBGA
- DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TWBGA
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:78-TFBGA
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:78
- Типы памяти:Volatile
- Рабочая температура:0°C~95°C TC
- Пакетирование:Tray
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):3 (168 Hours)
- Количество выводов:78
- Дополнительная Характеристика:PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
- Напряжение - Питание:1.425V~1.575V
- Положение терминала:BOTTOM
- Количество функций:1
- Напряжение питания:1.5V
- Шаг выводов:0.8mm
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Входной напряжение питания:1.5V
- Напряжение питания максимальное (Vпит):1.575V
- Напряжение питания минимальное (Vпит):1.425V
- Размер памяти:4Gb 512M x 8
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:800MHz
- Время доступа:20ns
- Формат памяти:DRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Организация:512MX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Ширина памяти:8
- Время цикла записи - слово, страница:15ns
- Ширина адресной шины:16b
- Плотность:4 Gb
- Ток ожидания-макс:0.018A
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Обновляющие циклы:8192
- Секвентальный длина импульса:48
- Межстрочный длина пакета:48
- Длина:10.5mm
- Высота сидения (макс.):1.2mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000