![](https://static.whisyee.com/dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv51216bll10tli-8068.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IS61LV25616AL-10TLI
-
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
-
Память
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
Date Sheet
Lagernummer 530
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Количество контактов:44
- Типы памяти:Volatile
- Уровень применения:Industrial grade
- Рабочая температура:-40°C~85°C TA
- Пакетирование:Tray
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):3 (168 Hours)
- Количество выводов:44
- Завершение:SMD/SMT
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Напряжение - Питание:3.135V~3.6V
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Количество функций:1
- Напряжение питания:3.3V
- Шаг выводов:0.8mm
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Число контактов:44
- Входной напряжение питания:3.3V
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.63V
- Размер памяти:4Mb 256K x 16
- Количество портов:1
- Номинальный ток питания:110mA
- Формат памяти:SRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Время цикла записи - слово, страница:10ns
- Ширина адресной шины:18b
- Плотность:4 Mb
- Максимальная частота:100MHz
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Синхрон/Асинхрон:Asynchronous
- Размер слова:16b
- Минимальная напряжение спящего режима:2V
- Высота:1.05mm
- Длина:18.52mm
- Ширина:10.29mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 530
Итого $0.00000