![](https://static.whisyee.com/dimg/rohmsemiconductor-br24t02fvtwe2-8993.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BR25G512FVT-3GE2
-
ROHM Semiconductor
-
Память
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- SPI BUS EEPROM
Date Sheet
Lagernummer 3165
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:9 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Типы памяти:Non-Volatile
- Рабочая температура:-40°C~85°C TA
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Напряжение - Питание:1.8V~5.5V
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.65mm
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5V
- Напряжение питания минимальное (Vпит):1.8V
- Размер памяти:512Kb 64K x 8
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:10MHz
- Формат памяти:EEPROM
- Интерфейс памяти:SPI
- Организация:64KX8
- Ширина памяти:8
- Время цикла записи - слово, страница:5ms
- Плотность памяти:524288 bit
- Параллельный/Серийный:SERIAL
- Тип сérial'nogo интерфейса:SPI
- Время цикла записи максимальное (tWC):5ms
- Длина:4.4mm
- Высота сидения (макс.):1.2mm
- Ширина:3mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 3165
Итого $0.00000