![](https://static.whisyee.com/dimg/rohmsemiconductor-br24g01fvm3gttr-8963.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BR93A76RFVM-WMTR
-
ROHM Semiconductor
-
Память
- 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width)
- MEMORY EEPROM
Date Sheet
Lagernummer 2400
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Типы памяти:Non-Volatile
- Уровень применения:Automotive grade
- Рабочая температура:-40°C~105°C TA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q100
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Напряжение - Питание:2.5V~5.5V
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Напряжение питания:4V
- Шаг выводов:0.65mm
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5V
- Блоки питания:3/5V
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.5V
- Размер памяти:8Kb 512 x 16
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:2MHz
- Формат памяти:EEPROM
- Интерфейс памяти:SPI
- Организация:512X16
- Ширина памяти:16
- Время цикла записи - слово, страница:5ms
- Ток ожидания-макс:0.000002A
- Плотность памяти:8192 bit
- Параллельный/Серийный:SERIAL
- Тип сérial'nogo интерфейса:3-WIRE
- Продолжительность:1000000 Write/Erase Cycles
- Время цикла записи максимальное (tWC):5ms
- Время удержания данных - мин:40
- Защита записи:SOFTWARE
- Длина:2.9mm
- Высота сидения (макс.):0.9mm
- Ширина:2.8mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2400
Итого $0.00000