![](https://static.whisyee.com/dimg/rohmsemiconductor-br24t04fjwe2-8984.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BR25H640FJ-2ACE2
-
ROHM Semiconductor
-
Память
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MEMORY EEPROM
Date Sheet
Lagernummer 1811
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж:YES
- Типы памяти:Non-Volatile
- Уровень применения:Automotive grade
- Рабочая температура:-40°C~125°C TA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q100
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Дополнительная Характеристика:SEATED HT-CALCULATED
- Напряжение - Питание:2.5V~5.5V
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1.27mm
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5V
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.5V
- Размер памяти:64Kb 8K x 8
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Частота часов:10MHz
- Формат памяти:EEPROM
- Интерфейс памяти:SPI
- Организация:8KX8
- Ширина памяти:8
- Время цикла записи - слово, страница:4ms
- Плотность памяти:65536 bit
- Параллельный/Серийный:SERIAL
- Тип сérial'nogo интерфейса:SPI
- Время цикла записи максимальное (tWC):4ms
- Длина:4.9mm
- Высота сидения (макс.):1.65mm
- Ширина:3.9mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 1811
Итого $0.00000