![](https://static.whisyee.com/dimg/alliancememoryinc-as6c6225655sin-0152.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
R1LP5256ESP-5SI#B0
-
Renesas Electronics America
-
Память
- 28-SOIC (0.330, 8.40mm Width)
- IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:28-SOIC (0.330, 8.40mm Width)
- Количество контактов:28
- Типы памяти:Volatile
- Рабочая температура:-40°C~85°C TA
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e2
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):2 (1 Year)
- Количество выводов:28
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Copper (Sn/Cu)
- Напряжение - Питание:4.5V~5.5V
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Количество функций:1
- Напряжение питания:5V
- Частота:1MHz
- Основной номер части:R1LP5256E
- Число контактов:28
- Входной напряжение питания:5V
- Блоки питания:5V
- Размер памяти:256Kb 32K x 8
- Количество портов:1
- Номинальный ток питания:35mA
- Формат памяти:SRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Организация:32KX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Ширина памяти:8
- Время цикла записи - слово, страница:55ns
- Ширина адресной шины:15b
- Плотность:256 kb
- Ток ожидания-макс:0.000002A
- Время доступа (макс.):55 ns
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Синхрон/Асинхрон:Asynchronous
- Размер слова:8b
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000