IS43DR16640C-3DBLI

Name: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBLI
Brand: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Price: 4.961583 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (17 reviews)

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Память
84-TFBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
Date Sheet

Lagernummer 8000

1+： $4.96158
10+： $4.68074
100+： $4.41579
500+： $4.16584
1000+： $3.93004

Zwischensummenbetrag $4.96158

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Copper, Silver, Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：84-TFBGA
Количество контактов：84
Типы памяти：Volatile
Уровень применения：Industrial grade
Рабочая температура：-40°C~85°C TA
Пакетирование：Tray
Код JESD-609：e1
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：84
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
Напряжение - Питание：1.7V~1.9V
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Напряжение питания：1.8V
Шаг выводов：0.8mm
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Квалификационный Статус：Not Qualified
Входной напряжение питания：1.8V
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9V
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7V
Размер памяти：1Gb 64M x 16
Количество портов：1
Режим работы：SYNCHRONOUS
Время доступа：450ps
Формат памяти：DRAM
Интерфейс памяти：Parallel
Ширина данных в сети：16b
Организация：64MX16
Характеристики выдачи：3-STATE
Ширина памяти：16
Время цикла записи - слово, страница：15ns
Ширина адресной шины：13b
Плотность：1 Gb
Ток ожидания-макс：0.025A
Максимальная частота：333MHz
Тип ввода/вывода：COMMON
Обновляющие циклы：8192
Секвентальный длина импульса：48
Межстрочный длина пакета：48
Длина：12.5mm
Высота сидения (макс.)：1.2mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 8000

1+： $4.96158
10+： $4.68074
100+： $4.41579
500+： $4.16584
1000+： $3.93004

Итого $4.96158