(0)
Изображение служит лишь для справки
IS43DR82560C-25DBLI
-
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
-
Память
- 60-TFBGA
- IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA
Date Sheet
Lagernummer 10
- 1+： $11.66686
- 10+： $11.00647
- 100+： $10.38346
- 500+： $9.79572
- 1000+： $9.24125
Zwischensummenbetrag $11.66686
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：60-TFBGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Типы памяти：Volatile
- Уровень применения：Industrial grade
- Рабочая температура：-40°C~85°C TA
- Пакетирование：Tray
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：60
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
- Напряжение - Питание：1.7V~1.9V
- Положение терминала：BOTTOM
- Количество функций：1
- Напряжение питания：1.8V
- Шаг выводов：0.8mm
- Код JESD-30：R-PBGA-B60
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9V
- Блоки питания：1.8V
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7V
- Размер памяти：2Gb 256M x 8
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：400MHz
- Время доступа：400ps
- Формат памяти：DRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：256MX8
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：8
- Время цикла записи - слово, страница：15ns
- Ток ожидания-макс：0.03A
- Плотность памяти：2147483648 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Обновляющие циклы：8192
- Секвентальный длина импульса：48
- Межстрочный длина пакета：48
- Длина：10.5mm
- Высота сидения (макс.)：1.2mm
- Ширина：8mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 10
- 1+： $11.66686
- 10+： $11.00647
- 100+： $10.38346
- 500+： $9.79572
- 1000+： $9.24125
Итого $11.66686
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
