(0)
Изображение служит лишь для справки
M470T2864EH3-CE6
-
Samsung Electronics
-
Карты памяти
- -
- DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte 200SODIMM
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- ЭККН (США)：4A994.a
- Модуль：DRAM Module
- Плотность модуля：1Gbyte
- Количество чипов на модуль：8
- Плотность чипа (бит)：1G
- Ширина шины данных (бит)：64
- Максимальное время доступа (нс)：0.45
- Максимальная частота такта (МГц)：667
- Конфигурация микрочипа：64Mx16
- Тип корпуса микросхемы：FBGA
- Минимальное рабочее напряжение питания (В)：1.7
- Типовая рабочая напряжение питания (В)：1.8
- Максимальное рабочее напряжение питания (В)：1.9
- Текущий ток (мА)：428
- Минимальная температура работы (°C)：0
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：95
- Поставщикская температура классификация：Commercial
- Модульные стороны：Double
- Поддержка ECC：No
- Число уровней：Dual
- Число банков чипов：8
- Часовой разброс：5
- Поддержка EEPROM SPD：Yes
- Стандартное наименование упаковки：DIM
- Поставщикская упаковка：USODIMM
- Монтаж：Socket
- Высота корпуса：30
- Длина корпуса：67.6
- Ширина пакета：3.8(Max)
- Плата изменена：200
- Форма вывода：No Lead
- Состояние изделия：Obsolete
- Число контактов：200
- Организация：128Mx64
- PLL：No
- Автоперезапись：Yes
- Модульный тип：200SODIMM
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
