(0)
Изображение служит лишь для справки
M471A1G43DB0-CPB
-
Samsung Electronics
-
Карты памяти
- -
- DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 260USODIMM
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：260
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8473.30.11.40
- Модуль：DRAM Module
- Плотность модуля：8Gbyte
- Количество чипов на модуль：16
- Плотность чипа (бит)：4G
- Ширина шины данных (бит)：64
- Максимальная частота такта (МГц)：2133
- Конфигурация микрочипа：512Mx8
- Тип корпуса микросхемы：78FBGA
- Минимальное рабочее напряжение питания (В)：1.14
- Типовая рабочая напряжение питания (В)：1.2
- Максимальное рабочее напряжение питания (В)：1.26
- Текущий ток (мА)：890
- Поддержка ECC：No
- Число уровней：Dual
- Часовой разброс：15
- Поставщикская упаковка：USODIMM
- Монтаж：Socket
- Высота корпуса：30
- Длина корпуса：69.6
- Ширина пакета：3.7(Max)
- Плата изменена：260
- Описание пакета：DIMM, DIMM260,20
- Форма упаковки：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
- Количество кодовых слов：1000000000
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Код эквивалентности пакета：DIMM260,20
- Время доступа-максимум：0.18 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：M471A1G43DB0-CPB
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：1066 MHz
- Количество слов：1073741824 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.2 V
- Код пакета：DIMM
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.75
- Состояние изделия：Obsolete
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.5 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：260
- Код JESD-30：R-XDMA-N260
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.26 V
- Блоки питания：1.2 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.14 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：1.31 mA
- Организация：1Gx64
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：30.15 mm
- Ширина памяти：64
- Ток ожидания-макс：0.12 A
- Плотность памяти：68719476736 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM MODULE
- Обновляющие циклы：8192
- Режим доступа：DUAL BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Модульный тип：260USODIMM
- Ширина：3.7 mm
- Длина：69.6 mm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
