(0)
Изображение служит лишь для справки
K4H510838G-HCB3
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：60
- РХОС：Non-Compliant
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：64000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA60,9X12,40/32
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：0.7 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：K4H510838G-HCB3
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：166 MHz
- Количество слов：67108864 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：2.5 V
- Код пакета：BGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.83
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PBGA-B60
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：2.5 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Максимальный ток подачи：0.22 mA
- Организация：64MX8
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：8
- Ток ожидания-макс：0.005 A
- Плотность памяти：536870912 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Обновляющие циклы：8192
- Секвентальный длина импульса：2,4,8
- Межстрочный длина пакета：2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
