(0)
Изображение служит лишь для справки
MG100J6ES50
-
Toshiba
-
Неклассифицированные
- -
- TRANSISTOR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-94A2A, 19 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：19
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：80 ns
- Время отключения (toff)：200 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MG100J6ES50
- Время включения макс. (ton)：160 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：6
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Время отключения макс. (toff)：400 ns
- Время подъема макс：240 ns
- Ранг риска：5.27
- Безоловая кодировка：No
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：19
- Код JESD-30：R-XUFM-X19
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：450 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：100 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.7 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：450 W
- Время падения максимальное (tf)：300 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
