(0)
Изображение служит лишь для справки
K4D26323QG-GC33
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
Date Sheet
Lagernummer 32
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：144
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：FBGA, BGA144,12X12,32
- Форма упаковки：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Количество кодовых слов：4000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA144,12X12,32
- Время доступа-максимум：0.55 ns
- Температура работы-Макс：65 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K4D26323QG-GC33
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：300 MHz
- Количество слов：4194304 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：FBGA
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.92
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：S-PBGA-B144
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：1.8 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Максимальный ток подачи：0.425 mA
- Организация：4MX32
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：32
- Ток ожидания-макс：0.042 A
- Плотность памяти：134217728 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Обновляющие циклы：4096
- Секвентальный длина импульса：2,4,8
- Межстрочный длина пакета：2,4,8
Со склада 32
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
