(0)
Изображение служит лишь для справки
K4M283233H-FN75
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- Synchronous DRAM, 4MX32, 7.5ns, CMOS, PBGA90
Date Sheet
Lagernummer 2167
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：90
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：FBGA, BGA90,9X15,32
- Форма упаковки：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Количество кодовых слов：4000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA90,9X15,32
- Минимальная температура работы：-25 °C
- Время доступа-максимум：7.5 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K4M283233H-FN75
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：133 MHz
- Количество слов：4194304 words
- Код пакета：FBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.84
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PBGA-B90
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：3/3.3 V
- Градация температуры：OTHER
- Максимальный ток подачи：0.13 mA
- Организация：4MX32
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：32
- Ток ожидания-макс：0.0005 A
- Плотность памяти：134217728 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM
- Обновляющие циклы：4096
- Секвентальный длина импульса：1,2,4,8,FP
- Межстрочный длина пакета：1,2,4,8
Со склада 2167
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
