Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NX7002AK
-
NXP USA Inc.
-
Неклассифицированные
- -
- SMALL SIGNAL, FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Compliant
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:30
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:NX7002AK
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Nexperia
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Описание Samacsys:60 V, single N-channel Trench MOSFET
- Производитель IHS:NEXPERIA
- Ранг риска:5.22
- Максимальный ток утечки (ID):0.3 A
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:3 Ω
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Максимальная потеря мощности:265 mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Нормативная Марка:IEC-60134
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):190 mA
- Пороговое напряжение:1.6 V
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс:5.2 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- REACH SVHC:No SVHC
Со склада 0
Итого $0.00000