Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

X28C010NM-12

Lagernummer 127

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:32-CLCC
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:32-CLCC (11.43x13.97)
  • Количество терминалов:32
  • РХОС:Non-Compliant
  • Пакет:Bulk
  • Основной номер продукта:X28C010
  • Mfr:Xicor-Division of Intersil
  • Состояние продукта:Active
  • Типы памяти:Non-Volatile
  • Описание пакета:CERAMIC, LCC-32
  • Форма упаковки:CHIP CARRIER
  • Уровни чувствительности к влажности:NOT APPLICABLE
  • Количество кодовых слов:128000
  • Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Время доступа-максимум:120 ns
  • Температура работы-Макс:125 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:X28C010NM-12
  • Количество слов:131072 words
  • Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
  • Код пакета:QCCN
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Rochester Electronics LLC
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Ранг риска:5.7
  • Код упаковки компонента:QFJ
  • Рабочая температура:-55°C ~ 125°C
  • Серия:-
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Технология:EEPROM
  • Напряжение - Питание:4.5V ~ 5.5V
  • Положение терминала:QUAD
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Количество функций:1
  • Шаг выводов:1.27 mm
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:32
  • Код JESD-30:R-CQCC-N32
  • Квалификационный Статус:COMMERCIAL
  • Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
  • Градация температуры:MILITARY
  • Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
  • Размер памяти:1Mbit
  • Режим работы:ASYNCHRONOUS
  • Время доступа:120 ns
  • Формат памяти:EEPROM
  • Интерфейс памяти:Parallel
  • Организация:128KX8
  • Максимальная высота посадки:3.05 mm
  • Ширина памяти:8
  • Время цикла записи - слово, страница:10ms
  • Плотность памяти:1048576 bit
  • Параллельный/Серийный:PARALLEL
  • Тип микросхемы памяти:EEPROM
  • Программирование напряжения:5 V
  • Время цикла записи максимальное (tWC):10 ms
  • Организация памяти:128K x 8
  • Ширина:11.43 mm
  • Длина:13.97 mm

Со склада 127

Итого $0.00000