Изображение служит лишь для справки






MG15Q6ES42
-
Toshiba
-
Неклассифицированные
- -
- TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 1600
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:17
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Non-Compliant
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:MG15Q6ES42
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов:6
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:5.85
- Дополнительная Характеристика:HIGH SPEED
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:SOLDER LUG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PUFM-D17
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC):15 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1200 V
- Максимальное напряжение на выходе:4 V
- Время падения максимальное (tf):500 ns
Со склада 1600
Итого $0.00000