Изображение служит лишь для справки






2N3503
-
Central Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Минимальная частота работы в герцах:100
- РХОС:Non-Compliant
- Пакетирование:Box
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Продуктивность полосы частот:200 MHz
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60 V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
Со склада 0
Итого $0.00000