K4T1G084QE-HCF7

Name: Samsung K4T1G084QE-HCF7
Brand: Samsung
Rating: 4.6 (19 reviews)

Samsung
Неклассифицированные
-
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
Date Sheet

Lagernummer 224

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：60
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：TFBGA, BGA60,9X11,32
Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество кодовых слов：128000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：BGA60,9X11,32
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：0.4 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：K4T1G084QE-HCF7
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：400 MHz
Количество слов：134217728 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код пакета：TFBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.47
Безоловая кодировка：Yes
Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
Подкатегория：DRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PBGA-B60
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
Блоки питания：1.8 V
Градация температуры：OTHER
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
Количество портов：1
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.17 mA
Организация：128MX8
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：8
Плотность памяти：1073741824 bit
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
Обновляющие циклы：8192
Секвентальный длина импульса：4,8
Межстрочный длина пакета：4,8
Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
Автоперезапись：YES
Ширина：7.5 mm
Длина：9.5 mm

Со склада 224

Итого $0.00000