Изображение служит лишь для справки
M68AW511AL55NC6
- STMicroelectronics
- Разъемы
- -
- 512KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:32
- Количество терминалов:32
- Количество слов:512000
- РХОС:Compliant
- Типы памяти:RAM, SRAM - Asynchronous
- Описание пакета:PLASTIC, TSOP2-32
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Количество кодовых слов:512000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:SOP32,.56
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум:55 ns
- Температура работы-Макс:85 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:M68AW511AL55NC6
- Номинальное напряжение питания (Вн):3 V
- Код пакета:TSOP2
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:STMicroelectronics
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:STMICROELECTRONICS
- Ранг риска:5.91
- Код упаковки компонента:TSOP2
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура:85 °C
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Подкатегория:SRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1.27 mm
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:32
- Код JESD-30:R-PDSO-G32
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Входной напряжение питания:3.3 V
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
- Блоки питания:3/3.3 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.7 V
- Интерфейс:Parallel
- Максимальная напряжённость питания:3.6 V
- Минимальная подача напряжения:2.7 V
- Количество портов:1
- Номинальный ток питания:30 mA
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.03 mA
- Время доступа:55 ns
- Организация:512KX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:8
- Ширина адресной шины:19 b
- Плотность:4 Mb
- Ток ожидания-макс:0.000009 A
- Плотность памяти:4194304 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Синхрон/Асинхрон:Asynchronous
- Размер слова:8 b
- Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:1.5 V
- Ширина:10.16 mm
- Длина:20.95 mm
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000