K7I163682B-FC25

Name: Samsung K7I163682B-FC25
Brand: Samsung
Rating: 4.9 (17 reviews)

Samsung
Неклассифицированные
-
DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：165
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：LBGA, BGA165,11X15,40
Форма упаковки：GRID ARRAY, LOW PROFILE
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество кодовых слов：512000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：BGA165,11X15,40
Максимальная температура рефлоу：40
Время доступа-максимум：0.45 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：K7I163682B-FC25
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：250 MHz
Количество слов：524288 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код пакета：LBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.86
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
Подкатегория：SRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Шаг выводов：1 mm
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PBGA-B165
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
Блоки питания：1.5/1.8,1.8 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.55 mA
Организация：512KX36
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.4 mm
Ширина памяти：36
Ток ожидания-макс：0.18 A
Плотность памяти：18874368 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：DDR SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：1.7 V
Ширина：13 mm
Длина：15 mm

Со склада 0

Итого $0.00000