CYD02S18V-133BBI

Name: Cypress Semiconductor CYD02S18V-133BBI
Brand: Cypress Semiconductor
Rating: 5 (17 reviews)

Cypress Semiconductor
Неклассифицированные
256-LBGA
Dual-Port SRAM, 128KX18, 4ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-256
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：256-LBGA
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：256-FBGA (17x17)
Количество терминалов：256
РХОС：Compliant
Пакет：Bulk
Mfr：Cypress Semiconductor Corp
Состояние продукта：Active
Типы памяти：Volatile
Описание пакета：17 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-256
Форма упаковки：GRID ARRAY, LOW PROFILE
Уровни чувствительности к влажности：1
Количество кодовых слов：128000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-40 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：4 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：CYD02S18V-133BBI
Количество слов：131072 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код пакета：LBGA
Форма упаковки：SQUARE
Производитель：Rochester Electronics LLC
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.87
Код упаковки компонента：BGA
Рабочая температура：-40°C ~ 85°C (TA)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Дополнительная Характеристика：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
Технология：SRAM - Dual Port, Standard
Напряжение - Питание：1.7V ~ 1.9V
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：225
Количество функций：1
Шаг выводов：1 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：256
Код JESD-30：S-PBGA-B256
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
Размер памяти：2Mbit
Режим работы：SYNCHRONOUS
Частота часов：133 MHz
Время доступа：4.7 ns
Формат памяти：SRAM
Интерфейс памяти：Parallel
Организация：128KX18
Максимальная высота посадки：1.7 mm
Ширина памяти：18
Время цикла записи - слово, страница：-
Плотность памяти：2359296 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：DUAL-PORT SRAM
Организация памяти：128K x 18
Ширина：17 mm
Длина：17 mm

Со склада 0

Итого $0.00000