Изображение служит лишь для справки
IRF612
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Non-Compliant
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:IRF612
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.07
- Максимальный ток утечки (ID):2.6 A
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:2.4 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:6.5 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000