Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IRFW644BTM
-
Fairchild Semiconductor
-
Неклассифицированные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 19512
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства:D2PAK (TO-263)
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:14A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния:3.13W (Ta), 139W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:280mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1600 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:60 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):250 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 19512
Итого $0.00000