(0)
Изображение служит лишь для справки
IRF532
-
Harris
-
Неклассифицированные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 1730
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Harris Corporation
- Максимальная мощность рассеяния：79W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRF532
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.12
- Максимальный ток утечки (ID)：12 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：230mOhm @ 8.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：600 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.23 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：48 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1730
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
