Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

CY62256VLL-70ZIT

Lagernummer 215

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:28-TSOP I
  • Количество терминалов:28
  • РХОС:Compliant
  • Пакет:Bulk
  • Основной номер продукта:CY62256
  • Mfr:Cypress Semiconductor Corp
  • Состояние продукта:Active
  • Типы памяти:Volatile
  • Описание пакета:8 X 13.40 MM, TSOP1-28
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
  • Уровни чувствительности к влажности:NOT SPECIFIED
  • Количество кодовых слов:32000
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-40 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Время доступа-максимум:70 ns
  • Температура работы-Макс:85 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:CY62256VLL-70ZIT
  • Количество слов:32768 words
  • Номинальное напряжение питания (Вн):3 V
  • Код пакета:TSOP1
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Rochester Electronics LLC
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Ранг риска:5.41
  • Код упаковки компонента:TSOP
  • Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Серия:MoBL®
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Дополнительная Характеристика:AUTOMATIC POWER-DOWN
  • Технология:SRAM - Asynchronous
  • Напряжение - Питание:2.7V ~ 3.6V
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Количество функций:1
  • Шаг выводов:0.55 mm
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:28
  • Код JESD-30:R-PDSO-G28
  • Квалификационный Статус:COMMERCIAL
  • Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
  • Градация температуры:INDUSTRIAL
  • Напряжение питания минимальное (Vпит):2.7 V
  • Размер памяти:256Kbit
  • Режим работы:ASYNCHRONOUS
  • Время доступа:70 ns
  • Формат памяти:SRAM
  • Интерфейс памяти:Parallel
  • Организация:32KX8
  • Максимальная высота посадки:1.2 mm
  • Ширина памяти:8
  • Время цикла записи - слово, страница:70ns
  • Плотность памяти:262144 bit
  • Параллельный/Серийный:PARALLEL
  • Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
  • Организация памяти:32K x 8
  • Ширина:8 mm
  • Длина:11.8 mm

Со склада 215

Итого $0.00000