Изображение служит лишь для справки
BLF6G38-25
- NXP USA Inc.
- Неклассифицированные
- -
- S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BLF6G38-25
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.73
- Максимальный ток утечки (ID):8.2 A
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):8.2 A
- Минимальная напряжённость разрушения:65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима:S BAND
Со склада 0
Итого $0.00000