CY62158DV30LL-55ZSXI

Name: Cypress Semiconductor CY62158DV30LL-55ZSXI
Brand: Cypress Semiconductor
Rating: 4.7 (6 reviews)

Cypress Semiconductor
Неклассифицированные
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
Date Sheet

Lagernummer 360

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：44-TSOP II
Количество терминалов：44
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：CY62158
Mfr：Cypress Semiconductor Corp
Состояние продукта：Active
Типы памяти：Volatile
Описание пакета：LEAD FREE, TSOP2-44
Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество кодовых слов：1000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-40 °C
Максимальная температура рефлоу：20
Время доступа-максимум：55 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：CY62158DV30LL-55ZSXI
Количество слов：1048576 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
Код пакета：TSOP2
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.77
Код упаковки компонента：TSOP2
Рабочая температура：-40°C ~ 85°C (TA)
Серия：MoBL®
Код JESD-609：e3/e4
Безоловая кодировка：Yes
Конечная обработка контакта：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
Технология：SRAM - Asynchronous
Напряжение - Питание：2.2V ~ 3.6V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：44
Код JESD-30：R-PDSO-G44
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.2 V
Размер памяти：8Mbit
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Время доступа：55 ns
Формат памяти：SRAM
Интерфейс памяти：Parallel
Организация：1MX8
Максимальная высота посадки：1.194 mm
Ширина памяти：8
Время цикла записи - слово, страница：55ns
Плотность памяти：8388608 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
Организация памяти：1M x 8
Ширина：10.16 mm
Длина：18.415 mm

Со склада 360

Итого $0.00000