Изображение служит лишь для справки
MT58L128L32D1F-6
-
Micron
-
Неклассифицированные
- 165-TBGA
- Cache SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：165-TBGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：165-FBGA (13x15)
- Количество терминалов：165
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：MT58L128L32
- Mfr：Micron Technology Inc.
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：FBGA-165
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE
- Количество кодовых слов：128000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA165,11X15,40
- Время доступа-максимум：3.5 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MT58L128L32D1F-6
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：166 MHz
- Количество слов：131072 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код пакета：TBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Micron Technology Inc
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：MICRON TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.53
- Код упаковки компонента：BGA
- Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
- Серия：SYNCBURST™
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：SRAM
- Напряжение - Питание：3.135V ~ 3.6V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：165
- Код JESD-30：R-PBGA-B165
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Блоки питания：3.3 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135 V
- Размер памяти：4Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：166 MHz
- Максимальный ток подачи：0.475 mA
- Время доступа：3.5 ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：128KX32
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：32
- Время цикла записи - слово, страница：-
- Ток ожидания-макс：0.01 A
- Плотность памяти：4194304 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：CACHE SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：3.14 V
- Организация памяти：128K x 32
- Ширина：13 mm
- Длина：15 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты