(0)
Изображение служит лишь для справки
MX25L3233FZBI-08G
-
Macronix
-
Разъемы
- 8-UDFN Exposed Pad
- Flash, 8MX4, PDSO8, USON-8
Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：8-USON (4x3)
- Количество терминалов：8
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：MX25L3233
- Mfr：Macronix
- Состояние продукта：Not For New Designs
- Типы памяти：Non-Volatile
- Описание пакета：HVSON,
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：8000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：MX25L3233FZBI-08G
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：133 MHz
- Количество слов：8388608 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
- Код пакета：HVSON
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Macronix International Co Ltd
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
- Ранг риска：5.74
- Серия：*
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C (TA)
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 32M X 1 BIT
- Технология：FLASH - NOR
- Напряжение - Питание：2.65V ~ 3.6V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-N8
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.65 V
- Размер памяти：32Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：133 MHz
- Формат памяти：FLASH
- Интерфейс памяти：SPI - Quad I/O
- Организация：8MX4
- Максимальная высота посадки：0.6 mm
- Ширина памяти：4
- Время цикла записи - слово, страница：50µs, 1.2ms
- Плотность памяти：33554432 bit
- Параллельный/Серийный：SERIAL
- Тип микросхемы памяти：FLASH
- Программирование напряжения：3 V
- Альтернативная ширина памяти：2
- Организация памяти：8M x 4
- Ширина：3 mm
- Длина：4 mm
Со склада 18
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
