(0)
Изображение служит лишь для справки
MT47H64M16HW-25E:H
-
Micron
-
Память
- -
- DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, FBGA-84
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：84
- Описание пакета：TFBGA,
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Количество кодовых слов：64000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Время доступа-максимум：0.4 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MT47H64M16HW-25E:H
- Количество слов：67108864 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：TFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Micron Technology Inc
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICRON TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.23
- Код упаковки компонента：BGA
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.32
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：235
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：84
- Код JESD-30：R-PBGA-B84
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Организация：64MX16
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：16
- Плотность памяти：1073741824 bit
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Ширина：8 mm
- Длина：12.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
