(0)
Изображение служит лишь для справки
BLF6G27-10G
-
NXP USA Inc.
-
Неклассифицированные
- -
- TRANSISTOR S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power
Date Sheet
Lagernummer 253
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：225 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BLF6G27-10G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.16
- Максимальный ток утечки (ID)：3.5 A
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-CDSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.5 A
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
Со склада 253
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
