K7R321882M-FC20

Name: Samsung K7R321882M-FC20
Brand: Samsung
Rating: 5 (19 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：165
Описание пакета：15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Форма упаковки：GRID ARRAY, LOW PROFILE
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество кодовых слов：2000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：BGA165,11X15,40
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：0.45 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：K7R321882M-FC20
Частота часовного генератора макс. (fCLK)：200 MHz
Количество слов：2097152 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код пакета：LBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Samsung Semiconductor
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Ранг риска：5.89
Код упаковки компонента：BGA
Код JESD-609：e0
Код ECCN：3A991.B.2.A
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Подкатегория：SRAMs
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：1 mm
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：165
Код JESD-30：R-PBGA-B165
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
Блоки питания：1.5/1.8,1.8 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.76 mA
Организация：2MX18
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：1.4 mm
Ширина памяти：18
Ток ожидания-макс：0.3 A
Плотность памяти：37748736 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：SEPARATE
Тип микросхемы памяти：QDR SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：1.7 V
Ширина：15 mm
Длина：17 mm

Со склада 0

Итого $0.00000