Изображение служит лишь для справки
K4M56163PG-BG75
-
Samsung
-
Неклассифицированные
- -
- Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：54
- Описание пакета：FBGA, BGA54,9X9,32
- Форма упаковки：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество кодовых слов：16000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA54,9X9,32
- Минимальная температура работы：-25 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：6 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：K4M56163PG-BG75
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：133 MHz
- Количество слов：16777216 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：FBGA
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.8
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：225
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：S-PBGA-B54
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：1.8 V
- Градация температуры：OTHER
- Максимальный ток подачи：0.075 mA
- Организация：16MX16
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：16
- Ток ожидания-макс：0.00001 A
- Плотность памяти：268435456 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM
- Обновляющие циклы：8192
- Секвентальный длина импульса：1,2,4,8,FP
- Межстрочный длина пакета：1,2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты