MT58L512Y36PF-10

Name: Micron MT58L512Y36PF-10
Brand: Micron
Rating: 4.9 (15 reviews)

Micron
Неклассифицированные
165-TBGA
Cache SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
Date Sheet

Lagernummer 248

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：165-TBGA
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：165-FBGA (13x15)
Количество терминалов：165
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：MT58L512Y36
Mfr：Micron Technology Inc.
Состояние продукта：Active
Типы памяти：Volatile
Описание пакета：13 X 15 MM, FBGA-165
Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE
Количество кодовых слов：512000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Время доступа-максимум：5 ns
Температура работы-Макс：70 °C
Артикул Производителя：MT58L512Y36PF-10
Количество слов：524288 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
Код пакета：TBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.74
Код упаковки компонента：BGA
Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
Серия：SYNCBURST™
Код JESD-609：e1
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
Технология：SRAM
Напряжение - Питание：3.135V ~ 3.465V
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Количество функций：1
Шаг выводов：1 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：165
Код JESD-30：R-PBGA-B165
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.465 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135 V
Размер памяти：18Mbit
Режим работы：SYNCHRONOUS
Частота часов：100 MHz
Время доступа：5 ns
Формат памяти：SRAM
Интерфейс памяти：Parallel
Организация：512KX36
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：36
Время цикла записи - слово, страница：-
Плотность памяти：18874368 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：CACHE SRAM
Организация памяти：512K x 36
Ширина：13 mm
Длина：15 mm

Со склада 248

Итого $0.00000