(0)
Изображение служит лишь для справки
CY7C1313V18-167BZC
-
Cypress Semiconductor
-
Неклассифицированные
- 165-LBGA
- QDR SRAM, 1MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
Date Sheet
Lagernummer 554
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：165-LBGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：165-FBGA (13x15)
- Количество терминалов：165
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：CY7C1313
- Mfr：Cypress Semiconductor Corp
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество кодовых слов：1000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：0.5 ns
- Температура работы-Макс：70 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：CY7C1313V18-167BZC
- Количество слов：1048576 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：TBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.87
- Код упаковки компонента：BGA
- Рабочая температура：0°C ~ 70°C (TA)
- Серия：-
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
- Технология：SRAM - Synchronous, QDR II
- Напряжение - Питание：1.7V ~ 1.9V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：220
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：165
- Код JESD-30：R-PBGA-B165
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Размер памяти：18Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：167 MHz
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：1MX18
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：18
- Время цикла записи - слово, страница：-
- Плотность памяти：18874368 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：QDR SRAM
- Организация памяти：1M x 18
- Ширина：13 mm
- Длина：15 mm
Со склада 554
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
