(0)
Изображение служит лишь для справки
CY62127DV30LL-55ZI
-
Cypress Semiconductor
-
Неклассифицированные
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
Date Sheet
Lagernummer 578
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：44-TSOP II
- Количество терминалов：44
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：CY62127
- Mfr：Cypress Semiconductor Corp
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Описание пакета：TSOP2-44
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Количество кодовых слов：64000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：55 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：CY62127DV30LL-55ZI
- Количество слов：65536 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
- Код пакета：TSOP2
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.53
- Код упаковки компонента：TSOP2
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C (TA)
- Серия：MoBL®
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Технология：SRAM - Asynchronous
- Напряжение - Питание：2.2V ~ 3.6V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：44
- Код JESD-30：R-PDSO-G44
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.2 V
- Размер памяти：1Mbit
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Время доступа：55 ns
- Формат памяти：SRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：64KX16
- Максимальная высота посадки：1.194 mm
- Ширина памяти：16
- Время цикла записи - слово, страница：55ns
- Плотность памяти：1048576 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Организация памяти：64K x 16
- Ширина：10.16 mm
- Длина：18.415 mm
Со склада 578
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
